PSPICE MOSFET의 KP
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작성자 안준석 댓글 2건 조회 2,856회 작성일 20-06-23 22:16본문
.MODEL MbreakN-X NMOS LEVEL = 3
+ TOX = 200E-10 NSUB = 1E17 GAMMA = 0.5
+ PHI = 0.7 VTO = 0.5 DELTA = 3.0
+ UO = 650 ETA = 3.0E-6 THETA = 0.1
+ KP = 25E-6 VMAX = 1E5 KAPPA = 0.3
+ RSH = 0 NFS = 1E12 TPG = 1
+ XJ = 500E-9 LD = 100E-9
+ CGDO = 200E-12 CGSO = 200E-12 CGBO = 1E-10
+ CJ = 400E-6 PB = 1 MJ = 0.5
+ CJSW = 300E-12 MJSW = 0.5
지난 PSPICE 과제에서 주어진 NMOS의 model parameter입니다. 여기서 VTO가 V_TH, KP가 uCW/2L을 의미하는 것으로 알고 있는데, 첨부된 그림과 같이 회로를 작성하면 KP값이 모델 파라미터와 다른 값이 나오는 것 같습니다. V_GS = 1V이고, V_TH = 0.5V이므로 KP = I/(V_GS-V_TH)^2 의 식에 의해 1.0264E-5의 값을 가지는 것으로 나옵니다. 어떤 이유에서 KP 값이 달라지는 것인가요?
+ TOX = 200E-10 NSUB = 1E17 GAMMA = 0.5
+ PHI = 0.7 VTO = 0.5 DELTA = 3.0
+ UO = 650 ETA = 3.0E-6 THETA = 0.1
+ KP = 25E-6 VMAX = 1E5 KAPPA = 0.3
+ RSH = 0 NFS = 1E12 TPG = 1
+ XJ = 500E-9 LD = 100E-9
+ CGDO = 200E-12 CGSO = 200E-12 CGBO = 1E-10
+ CJ = 400E-6 PB = 1 MJ = 0.5
+ CJSW = 300E-12 MJSW = 0.5
지난 PSPICE 과제에서 주어진 NMOS의 model parameter입니다. 여기서 VTO가 V_TH, KP가 uCW/2L을 의미하는 것으로 알고 있는데, 첨부된 그림과 같이 회로를 작성하면 KP값이 모델 파라미터와 다른 값이 나오는 것 같습니다. V_GS = 1V이고, V_TH = 0.5V이므로 KP = I/(V_GS-V_TH)^2 의 식에 의해 1.0264E-5의 값을 가지는 것으로 나옵니다. 어떤 이유에서 KP 값이 달라지는 것인가요?
댓글목록
정규준님의 댓글
정규준 작성일KP는 mobility랑 oxide capacitance를 곱한 값 (uC) 이고 aspect ratio (W/L) 는 더블클릭으로 수정할 수 있는 것으로 알고 있습니다 .!
김준하님의 댓글의 댓글
김준하 작성일W/L 을 바꿀 수 있어도 MbreakN-X 에서는 DEFW (100um), DEFL (100um) 로 설정되어있으므로 KP는 여전히 1.0264E-5 로 나와야 하는거 아닌가요?