2022 Sangwoo Ha, Sangjin Kim, Donghyeon Han, Soyeon Um, and Hoi-Jun Yoo
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작성자 운영자 댓글 0건 조회 873회 작성일 22-03-18 09:29본문
| Title | A 36.2 dB High SNR and PVT/Leakage-robust eDRAM Computing-In-Memory Macro with Segmented BL and Reference Cell Array |
|---|---|
| Authors | Sangwoo Ha, Sangjin Kim, Donghyeon Han, Soyeon Um, and Hoi-Jun Yoo |
| Year | 2022 |
| Publication | TCAS-II 2022 |
| Link | https://ieeexplore.ieee.org/document/9736994 393회 연결 |
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